单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesTexas Instruments
系列
-NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA（Ta）2.8A（Ta）50A（Tc）200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 100A，10V19 毫欧 @ 50A，10V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3.2V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 10 V31 nC @ 10 V153 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
59.76 pF @ 16 V130 pF @ 10 V2420 pF @ 75 V12000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）660mW（Ta）125W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1SOT-23-3SOT-323TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
90,038
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49352
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
246,550
现货
2,112,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PG-TDSON-8-1
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Infineon Technologies
12,577
现货
1 : ¥23.73000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.28462
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
50A（Tc）
8V，10V
19 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
2420 pF @ 75 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
DDPAK/TO-263-3
CSD19536KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
1,467
现货
1 : ¥36.45000
剪切带（CT）
500 : ¥22.01000
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Ta）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。