单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
NexFET™OptiMOS™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），20A（Tc）95A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 25A，10V4.8 毫欧 @ 20A，10V6.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.2V @ 35µA3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
58 nC @ 10 V67 nC @ 10 V83 nC @ 7.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5070 pF @ 30 V5100 pF @ 30 V5400 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），69W（Tc）3.2W（Ta），156W（Tc）104W（Tc）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）PG-TSDSON-8PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TSDSON
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
17,516
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.60715
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD18532Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,651
现货
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.19089
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR668DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,625
现货
1 : ¥18.80000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.48623
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
95A（Tc）
7.5V，10V
4.8 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 250µA
83 nC @ 7.5 V
±20V
5400 pF @ 50 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。