单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS®-P2TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A(Tc)17A(Ta),71A(Tc)18A(Ta),80A(Tc)40A(Ta)50A(Tc)55A(Tc)60A(Tc)80A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)180A(Tc)222A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 100A,10V3.7 毫欧 @ 20A,10V5.1 毫欧 @ 30A,10V5.2 毫欧 @ 80A,10V6.1 毫欧 @ 35A,10V7 毫欧 @ 10A,10V7 毫欧 @ 18A,10V9.4 毫欧 @ 17A,10V9.4 毫欧 @ 24A,10V9.6 毫欧 @ 20A,10V11.5 毫欧 @ 30A,10V15 毫欧 @ 10A,10V68 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 500µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 10 V19.5 nC @ 10 V20 nC @ 10 V64 nC @ 10 V67 nC @ 10 V115 nC @ 10 V150 nC @ 10 V151 nC @ 10 V155 nC @ 10 V206 nC @ 10 V250 nC @ 10 V260 nC @ 10 V280 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-20V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
320 pF @ 15 V1293 pF @ 20 V1400 pF @ 25 V3000 pF @ 10 V4004 pF @ 20 V4800 pF @ 25 V6600 pF @ 25 V6675 pF @ 20 V10300 pF @ 25 V11000 pF @ 25 V14500 pF @ 25 V15087 pF @ 20 V17640 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
840mW(Ta),100W(Tc)1.1W(Ta),1.7W(Tc)2.1W(Ta)3W(Ta),136W(Tc)3W(Ta),30W(Tc)3.6W(Ta),61W(Tc)62W(Tc)68W(Tc)107W(Tc)125W(Tc)136W(Tc)150W(Tc)312W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-HSOP8-TSON Advance-WF(3.1x3.1)PG-TO263-3-2PG-TO263-7-3PowerPAK® SO-8SOT-23-3(TO-236)TO-220TO-252(DPAK)TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
28,747
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10074
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.6A(Tc)
2.5V,4.5V
68 毫欧 @ 2.9A,4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±12V
320 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
onsemi
23,084
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.25108
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta),71A(Tc)
4.5V,10V
6.1 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),61W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
TO-252
SUD50P04-09L-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
15,192
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.48430
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 24A,10V
3V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMPH4013SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Diodes Incorporated
5,221
现货
427,500
工厂
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.54069
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
55A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
4004 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
4,414
现货
1 : ¥10.10000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.55616
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Ta)
4.5V,10V
9.6 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 500µA
64 nC @ 10 V
+10V,-20V
3000 pF @ 10 V
-
840mW(Ta),100W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-TSON Advance-WF(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
TO-252
SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
4,065
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.40740
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
11.5 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Vishay Siliconix
4,888
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.37853
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
5.1 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
280 nC @ 10 V
±20V
14500 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD90P04-9M4L_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Vishay Siliconix
4,791
现货
1 : ¥21.76000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.82615
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
9,679
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.17790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ409EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
2,636
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.88051
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
HSOP8
RS1G180MNTB
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Rohm Semiconductor
2,225
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.72064
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
18A(Ta),80A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 18A,10V
2.5V @ 1mA
19.5 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 20 V
-
3W(Ta),30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80P04P405ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Infineon Technologies
1,865
现货
1 : ¥24.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥12.42776
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
-
5.2 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
151 nC @ 10 V
±20V
10300 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-7, D2Pak
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Infineon Technologies
1,765
现货
1 : ¥32.84000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.34511
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
-
2.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 410µA
250 nC @ 10 V
±20V
17640 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
GT250P10T
G040P04T
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Goford Semiconductor
24
现货
1 : ¥14.94000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
222A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
206 nC @ 10 V
±20V
15087 pF @ 20 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 14

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。