单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Tc）4.1A（Tc）20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 20A，10V94 毫欧 @ 10A，10V4.9 欧姆 @ 1.05A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V22.5 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 20 V660 pF @ 25 V951 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）3W（Tc）3.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3（TO-236）TO-252AA
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
24,958
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.58997
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
951 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-252AA
FQD3P50TM
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
onsemi
4,277
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.75942
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
2.1A（Tc）
10V
4.9 欧姆 @ 1.05A，10V
5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±30V
660 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
SQ2389ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
98,550
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.1A（Tc）
4.5V，10V
94 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 20 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。