单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）400mA（Ta）2A（Ta）15.3A（Ta），164A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 22A，10V300 毫欧 @ 1A，10V1.5 欧姆 @ 100mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V112 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V60 pF @ 25 V150 pF @ 10 V7880 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）320mW（Ta）500mW（Ta）900mW（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）SOT-23-3UF6
封装/外壳
6-SMD，扁平引线8-PowerTDFN，5 引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
147,762
现货
10,611,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35562
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
265,395
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2,977
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82098
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
6 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UF6
6-SMD，扁平引线
0
现货
查看交期
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.09331
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15.3A（Ta），164A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 22A，10V
3V @ 250µA
112 nC @ 4.5 V
±25V
7880 pF @ 15 V
-
900mW（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。