单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta）155A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.9毫欧 @ 150A，10V9.4 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 270µA4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V92 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1560 pF @ 25 V7200 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPG-HSOF-8-1
封装/外壳
8-PowerSFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
x-xSOF-8-1
IPT059N15N3ATMA1
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Infineon Technologies
1,927
现货
1 : ¥64.20000
剪切带（CT）
2,000 : ¥34.12558
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
155A（Tc）
8V，10V
5.9毫欧 @ 150A，10V
4V @ 270µA
92 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 75 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
IRF7855TRPBF
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Infineon Technologies
13,870
现货
1 : ¥14.37000
剪切带（CT）
4,000 : ¥6.46782
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta）
10V
9.4 毫欧 @ 12A，10V
4.9V @ 100µA
39 nC @ 10 V
±20V
1560 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。