单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
361mA(Ta)4A(Ta)21A(Ta),34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V2.5V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.8 毫欧 @ 20A,10V55 毫欧 @ 4A,10V700 毫欧 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.4V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8 nC @ 4.5 V4.34 nC @ 4.5 V70 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24 pF @ 10 V390 pF @ 15 V2830 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
155mW(Ta)1.4W(Ta)5W(Ta),30W(Tc)
供应商器件封装
8-DFN-EP(3x3)SOT-23-3SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式3-XFDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3402
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
11,089
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80150
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
55 毫欧 @ 4A,10V
1.4V @ 250µA
4.34 nC @ 4.5 V
±12V
390 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
8-DFN
AONR21357
MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
17,234
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.99255
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta),34A(Tc)
4.5V,10V
7.8 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
SOT-883
NTNS3164NZT5G
MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883
onsemi
56,864
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.80598
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
361mA(Ta)
1.5V,4.5V
700 毫欧 @ 200mA,4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±8V
24 pF @ 10 V
-
155mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
3-XFDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。