单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）6.4A（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 15A，10V60 毫欧 @ 3.8A，10V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V26.1 nC @ 10 V83 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+16V，-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
476 pF @ 10 V1007 pF @ 20 V4450 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）2W（Ta）65.7W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-223-3SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
107,522
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43740
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
ZXMP4A16GTA
MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Diodes Incorporated
17,855
现货
101,000
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.04179
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6.4A（Ta）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 3.8A，10V
1V @ 250µA
26.1 nC @ 10 V
±20V
1007 pF @ 20 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK SO-8
SIRA32DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,362
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.46898
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
60A（Tc）
4.5V，10V
1.2 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
83 nC @ 10 V
+16V，-12V
4450 pF @ 10 V
-
65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。