单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）9.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V85 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.3 nC @ 10 V50.6 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
606 pF @ 20 V2426 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
680mW（Ta）800mW（Ta）
供应商器件封装
SC-59-3SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
61,621
现货
681,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-59-3
DMN1019USN-7
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Diodes Incorporated
7,418
现货
591,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96826
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
9.3A（Ta）
1.2V，2.5V
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
800mV @ 250µA
50.6 nC @ 8 V
±8V
2426 pF @ 10 V
-
680mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。