单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V200 V400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Tc）3.3A（Tc）3.5A（Tc）5.6A（Tc）6.5A（Tc）6.8A（Tc）9A（Tc）10A（Tc）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 11A，10V400 毫欧 @ 5.4A，10V540 毫欧 @ 3.4A，10V540 毫欧 @ 3.4A，5V550 毫欧 @ 6A，10V600 毫欧 @ 4.1A，10V800 毫欧 @ 3.9A，10V1.5 欧姆 @ 1.5A，10V1.5 欧姆 @ 2A，10V3 欧姆 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.1 nC @ 5 V8.2 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V11 nC @ 10 V18 nC @ 10 V22 nC @ 10 V29 nC @ 10 V43 nC @ 10 V63 nC @ 10 V67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 25 V170 pF @ 25 V180 pF @ 25 V250 pF @ 25 V350 pF @ 25 V390 pF @ 25 V700 pF @ 25 V800 pF @ 25 V1160 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
20W（Tc）36W（Tc）40W（Tc）43W（Tc）60W（Tc）74W（Tc）125W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
52,330
现货
1 : ¥6.81000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF740PBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
2,932
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
10A（Tc）
10V
550 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF610PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Vishay Siliconix
7,342
现货
1 : ¥5.17000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.3A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 2A，10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
46,281
现货
1 : ¥6.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF510PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
5,519
现货
1 : ¥8.87000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
-
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9610PBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Vishay Siliconix
8,583
现货
1 : ¥9.28000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
1.8A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 900mA，10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9520PBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Vishay Siliconix
8,770
现货
1 : ¥10.18000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.8A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRL510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
9,239
现货
1 : ¥10.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
4V，5V
540 毫欧 @ 3.4A，5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Vishay Siliconix
5,210
现货
1 : ¥12.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 5.4A，10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Vishay Siliconix
2,915
现货
1 : ¥12.97000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
6.5A（Tc）
10V
800 毫欧 @ 3.9A，10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9620PBF
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Vishay Siliconix
5,052
现货
1 : ¥13.22000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.5A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。