单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）1.2A（Ta）3.6A（Ta）3.7A（Ta）4.2A（Ta）28A（Tc）31A（Tc）110A（Tc）161A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.75V，5V4V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 15A，10V8 毫欧 @ 62A，10V40 毫欧 @ 17A，10V45 毫欧 @ 4.2A，4.5V64 毫欧 @ 3.6A，10V65 毫欧 @ 16A，10V65 毫欧 @ 3.7A，4.5V250 毫欧 @ 910mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 1mA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 10µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V4.8 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V12 nC @ 5 V25 nC @ 5 V50 nC @ 4.5 V63 nC @ 10 V146 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V85 pF @ 25 V388 pF @ 25 V633 pF @ 10 V740 pF @ 15 V880 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V3247 pF @ 25 V4380 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）350mW（Ta）540mW（Ta）1.25W（Ta）1.3W（Ta）68W（Tc）110W（Tc）140W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-TO252-3SOT-23-3SOT-323TO-220ABTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
115,221
现货
687,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48378
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.75V，5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
271,397
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52275
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
160,946
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92265
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
130,388
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80297
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
88,748
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10821
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR5305TRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Infineon Technologies
25,664
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.02280
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
IRLML9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
90,165
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93953
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
64 毫欧 @ 3.6A，10V
2.4V @ 10µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
388 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRLR2705TRPBF
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Infineon Technologies
9,124
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.43647
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
28A（Tc）
4V，10V
40 毫欧 @ 17A，10V
2V @ 250µA
25 nC @ 5 V
±16V
880 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR7843TRPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Infineon Technologies
29,647
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.00228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
161A（Tc）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 15A，10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
AUIRFR5305TRL
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Infineon Technologies
7,223
现货
1 : ¥22.41000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.92867
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
88
现货
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
110A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 62A，10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。