单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）200mA（Tc）31A（Tc）47A（Tc）49A（Tc）74A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.5 毫欧 @ 25A，10V20 毫欧 @ 38A，10V22 毫欧 @ 25A，10V60 毫欧 @ 16A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48 nC @ 5 V63 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）3.8W（Ta），110W（Tc）94W（Tc）110W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKTO-220ABTO-92-3
封装/外壳
TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
44,851
现货
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
10,722
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Infineon Technologies
802
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
800 : ¥6.78940
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
47A（Tc）
4V，10V
22 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
40,859
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
28,147
现货
10,000
工厂
1 : ¥2.96000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tc）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-220AB PKG
IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Infineon Technologies
38,310
现货
1 : ¥11.33000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。