单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）18A（Tc）23A（Tc）42A（Tc）47A（Tc）49A（Tc）110A（Tc）169A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.3 毫欧 @ 101A，10V8 毫欧 @ 62A，10V17.5 毫欧 @ 25A，10V20 毫欧 @ 42A，10V22 毫欧 @ 25A，10V68 毫欧 @ 6A，10V117 毫欧 @ 11A，10V200 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.4 nC @ 10 V48 nC @ 5 V58 nC @ 10 V63 nC @ 10 V97 nC @ 10 V146 nC @ 10 V180 nC @ 10 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 25 V870 pF @ 30 V1300 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V3247 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V5480 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），110W（Tc）20W（Tc）79W（Tc）94W（Tc）140W（Tc）170W（Tc）200W（Tc）330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKTO-220ABTO-251（IPAK）
封装/外壳
TO-220-3TO-251-3 短引线，IPAKTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
31,580
现货
1 : ¥7.64000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRLZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Infineon Technologies
12,324
现货
1 : ¥10.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
47A（Tc）
4V，10V
22 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
26,326
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
2,478
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
8,124
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
800 : ¥12.42841
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 42A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
2,197
现货
1 : ¥6.40000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18A（Tc）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 6A，10V
2.2V @ 250µA
16.4 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 30 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-251（IPAK）
TO-251-3 短引线，IPAK
TO-220AB PKG
IRF1405PBF
MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Infineon Technologies
13,015
现货
1 : ¥14.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
169A（Tc）
10V
5.3 毫欧 @ 101A，10V
4V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
5480 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
110A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 62A，10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。