单 FET,MOSFET
结果 : 4
制造商
系列
包装
FET 类型
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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4,349 现货 | 1 : ¥22.33000 剪切带(CT) 1,000 : ¥11.52804 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 250 V | 25A(Tc) | 10V | 60 毫欧 @ 25A,10V | 4V @ 90µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 2350 pF @ 100 V | - | 136W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3 | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | |||
1,273 现货 | 1 : ¥13.63000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 250 V | 14A(Tc) | 10V | 280 毫欧 @ 8.4A,10V | 4V @ 250µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 125W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
2,322 现货 | 1 : ¥14.45000 剪切带(CT) 1,000 : ¥6.86882 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 250 V | 17A(Tc) | 10V | 165 毫欧 @ 8.5A,10V | 4V @ 250µA | 29.5 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF @ 25 V | - | 110W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | TO-263(D2PAK) | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | |||
708 现货 | 1 : ¥25.78000 管件 | - | 管件 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 11A(Tc) | 10V | 500 毫欧 @ 6.6A,10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 25 V | - | 3W(Ta),125W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | TO-263(D2PAK) | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB |
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