单 FET,MOSFET
结果 : 3
包装
FET 类型
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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52,147 现货 | 1 : ¥18.06000 剪切带(CT) 3,000 : ¥8.16090 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 30 V | 60A(Tc) | 4.5V,10V | 2.6 毫欧 @ 25A,10V | 2.3V @ 250µA | 413 nC @ 10 V | ±20V | 15660 pF @ 15 V | - | 6.25W(Ta),104W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | |||
6,071 现货 | 1 : ¥12.31000 剪切带(CT) 3,000 : ¥5.09331 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 21A(Tc) | 4.5V,10V | 33 毫欧 @ 10A,10V | 3V @ 250µA | 19.5 nC @ 10 V | ±20V | 550 pF @ 50 V | - | 4.1W(Ta),29.7W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥13.22000 剪切带(CT) 3,000 : ¥5.95526 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 40A(Tc) | 4.5V,10V | 10.8 毫欧 @ 20A,10V | 2.8V @ 250µA | 49 nC @ 10 V | ±20V | 1630 pF @ 50 V | - | 5W(Ta),62.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
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