单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
240mA（Ta）320mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V3 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V24.5 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）350mW（Ta）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
13,956
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43247
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Vishay Siliconix
3,897
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71229
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 250mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。