单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
C3M™Z-FET™
漏源电压（Vdss）
1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.9A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28，8 毫欧 @ 50A，15V1.1 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3，6V @ 17，7mA4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 20 V160 nC @ 15 V162 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
191 pF @ 1000 V4818 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
69W（Tc）469W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247-3TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C2D10120D
C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,575
现货
1 : ¥93.35000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
4.9A（Tc）
20V
1.1 欧姆 @ 2A，20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V，-10V
191 pF @ 1000 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0021120K
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,337
现货
1 : ¥336.77000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
100A（Tc）
15V
28，8 毫欧 @ 50A，15V
3，6V @ 17，7mA
162 nC @ 15 V
+15V，-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C3M0021120D
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,120
现货
1 : ¥336.77000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
100A（Tc）
15V
28，8 毫欧 @ 50A，15V
3，6V @ 17，7mA
160 nC @ 15 V
+15V，-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。