单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA（Ta）3.5A（Ta）3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
69 毫欧 @ 2A，10V70 毫欧 @ 3.8A，10V2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 30 V336 pF @ 25 V430 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
380mW（Ta）1.08W（Ta）1.2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
22,757
现货
981,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
336 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
SSM3K361R,LXHF
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
9,706
现货
1 : ¥8.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.98420
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
DMN62D0U-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
64,938
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.33100
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
1.8V，4.5V
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
380mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。