单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），54A（Tc）26A（Ta），100A（Tc）38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 30A，10V8 毫欧 @ 12A，4.5V60 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V72 nC @ 4.5 V230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1600 pF @ 15 V2780 pF @ 25 V6909 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），41W（Tc）2.5W（Ta），43W（Tc）3.1W（Ta），170W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKPG-TDSON-8-6POWERDI3333-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF5210STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Infineon Technologies
2,482
现货
1 : ¥33.25000
剪切带（CT）
800 : ¥11.97244
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
38A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
2780 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerDI3333-8
DMP2008UFG-7
MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Diodes Incorporated
52,572
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.55813
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14A（Ta），54A（Tc）
1.5V，4.5V
8 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
72 nC @ 4.5 V
±8V
6909 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSC0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Infineon Technologies
24,257
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.20384
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
26A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。