单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Microchip TechnologySTMicroelectronics
系列
MDmesh™POWER MOS V®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
650 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A（Tc）13A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
530 毫欧 @ 4.25A，10V860 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V275 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
644 pF @ 100 V4440 pF @ 25 V
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerFLAT™（5x5）TO-247 [B]
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8PowerVDFN
STL11N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
975
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.23698
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
8.5A（Tc）
10V
530 毫欧 @ 4.25A，10V
5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
644 pF @ 100 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFLAT™（5x5）
8-PowerVDFN
TO-247-3-PKG-Series
APT10086BVFRG
MOSFET N-CH 1000V 13A TO247
Microchip Technology
0
现货
查看交期
30 : ¥168.13667
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
13A（Tc）
-
860 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
275 nC @ 10 V
-
4440 pF @ 25 V
-
-
-
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。