单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
53.7A（Tc）56.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.7 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V64 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1516 pF @ 75 V2130 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
6.25W（Ta），104W（Tc）6.25W（Ta），125W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8DC
SIDR622DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
8,950
现货
1 : ¥19.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.95493
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
56.7A（Tc）
7.5V，10V
17.7 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1516 pF @ 75 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR872DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥22.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.18347
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
53.7A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2130 pF @ 75 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。