单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedLittelfuse Inc.
系列
-HiPerFET™, Ultra X3TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V150 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）44A（Tc）54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
59毫欧 @ 27A，10V65 毫欧 @ 22A，10V68 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA5.2V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.3 nC @ 10 V49 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
502 pF @ 30 V3360 pF @ 25 V13400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.12W（Ta）298W（Tc）625W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247（IXFH）TO-252-3TO-263AA
封装/外壳
TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263AB
IXTA44P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Littelfuse Inc.
31,225
现货
1 : ¥51.39000
剪切带（CT）
800 : ¥32.40818
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
44A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 22A，10V
4V @ 250µA
175 nC @ 10 V
±15V
13400 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-252-2
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
25,360
现货
732,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.49522
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2.12W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IXFH34N65X3
IXFH54N65X3
MOSFET 54A 650V X3 TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥58.73903
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
54A（Tc）
10V
59毫欧 @ 27A，10V
5.2V @ 4mA
49 nC @ 10 V
±20V
3360 pF @ 25 V
-
625W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXFH）
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。