单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologies
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Ta）40A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 20A，10V27 毫欧 @ 25A，10V160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3.3V @ 14µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.3 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V48 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 25 V1075 pF @ 30 V1700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）2.1W（Ta），36W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FLSOT-23-3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,018,756
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86945
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
2.1A（Ta）
2.5V，4.5V
160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
TO252-3
IRLR2905TRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Infineon Technologies
167
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.74921
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
4V，10V
27 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TSDSON-8
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
23,696
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.72505
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。