单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.STMicroelectronics
系列
-PowerMESH™STripFET™ III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
40 V100 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta），12.5A（Tc）8A（Tc）270A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 80A，10V66 毫欧 @ 5A，10V2.5 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V89.3 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
415 pF @ 50 V3255 pF @ 25 V7500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），20.8W（Tc）300W（Tc）320W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）10-PowerSOTO-247-3
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerSO-10 裸露底部焊盘TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON7296
MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
103,385
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.81345
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5A（Ta），12.5A（Tc）
4.5V，10V
66 毫欧 @ 5A，10V
2.8V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
415 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），20.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,120
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
TO-247-3 HiP
STW9N150
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
STMicroelectronics
62
现货
1 : ¥74.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
8A（Tc）
10V
2.5 欧姆 @ 4A，10V
5V @ 250µA
89.3 nC @ 10 V
±30V
3255 pF @ 25 V
-
320W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。