单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Goford SemiconductoronsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），96A（Tc）45，6A（Ta），186A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 20A，10V3，8毫欧 @ 18A，10V80 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V134 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4050 pF @ 75 V5600 pF @ 15 V5900 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2，36W（Ta），50W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）100W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN（4.9x5.75）8-PQFN（3.3x3.3）PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NTTFS008P03P8Z
MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
onsemi
5,886
现货
1 : ¥24.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.95083
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），96A（Tc）
4.5V，10V
3，8毫欧 @ 18A，10V
3V @ 250µA
134 nC @ 10 V
±25V
5600 pF @ 15 V
-
2，36W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPAK SO-8
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Vishay Siliconix
7,441
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.39614
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
45，6A（Ta），186A（Tc）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
G900P15D5
G900P15D5
P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Goford Semiconductor
1,807
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.12007
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
60A（Tc）
10V
80 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
4050 pF @ 75 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（4.9x5.75）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。