单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesPanjit International Inc.
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 25A，10V6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 13µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V1209 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-33SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IPC50N04S5L5R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Infineon Technologies
14,252
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.27373
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 13µA
23 nC @ 10 V
±16V
1209 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
BAS40xW-Ax1XX
PJC7476_R1_00001
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Panjit International Inc.
36
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65440
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 300mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。