单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Taiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Ta），3A（Tc）20A（Tc）120A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.1 毫欧 @ 30A，10V48 毫欧 @ 8A，10V164 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.2 nC @ 10 V22.4 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
395 pF @ 40 V1250 pF @ 30 V7000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta），2.5W（Tc）66W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-252（DPAK）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5,268
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.38918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
4.5V，10V
48 毫欧 @ 8A，10V
2.2V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23
SI2387DS-T1-GE3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05373
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
2.1A（Ta），3A（Tc）
4.5V，10V
164 毫欧 @ 2.1A，10V
2.5V @ 250µA
10.2 nC @ 10 V
±20V
395 pF @ 40 V
-
1.3W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥33.41000
剪切带（CT）
800 : ¥20.18586
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
4.5V，10V
10.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。