单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA(Ta)2.9A(Ta)4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
38 毫欧 @ 3.6A,4.5V110 毫欧 @ 2.2A,10V700 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.75 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
594.3 pF @ 10 V715 pF @ 6 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)350mW(Ta)800mW(Ta)
供应商器件封装
SC-75ASOT-23SOT-23-3
封装/外壳
SC-75,SOT-416TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
157,260
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18637
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
500mA(Ta)
1.8V,4.5V
700 毫欧 @ 600mA,4.5V
900mV @ 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SOT-23-3
DMN2075U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
24,496
现货
4,911,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57291
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
38 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23
SI2321-TP
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Micro Commercial Co
20,348
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71245
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.9A(Ta)
4.5V
110 毫欧 @ 2.2A,10V
900mV @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±12V
715 pF @ 6 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。