单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.1A（Ta）100A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 50A，10V8 毫欧 @ 30A，10V45 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 93µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 4.5 V130 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
722 pF @ 25 V9200 pF @ 25 V11000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）2.5W（Ta），139W（Tc）3.75W（Ta），272W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPPG-TDSON-8-1TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC031N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Infineon Technologies
12,029
现货
1 : ¥18.80000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.15127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
3.1 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 93µA
130 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
3,076
现货
1 : ¥35.14000
剪切带（CT）
800 : ¥21.22728
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），272W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-SOP
DMP3056LSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
Diodes Incorporated
9,192
现货
150,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.49527
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.1A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 6A，10V
2.1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±20V
722 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。