单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVIU-MOSVIII-HUltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）3.5A（Ta）3.9A（Ta）4.4A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V48 毫欧 @ 4.4A，10V69 毫欧 @ 2A，10V70 毫欧 @ 3.9A，10V140 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.5V @ 100µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V5.8 nC @ 10 V8.6 nC @ 10 V12.8 nC @ 4.5 V46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 15 V315 pF @ 40 V430 pF @ 15 V840 pF @ 10 V2535 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1W（Ta）1.2W（Ta）1.25W（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-SOICSOT-23SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
768,922
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
DMN6140L-13
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Diodes Incorporated
197,421
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.46858
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
84,363
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30541
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
175°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
8-SOIC
FDS2672
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
onsemi
1,615
现货
1 : ¥15.35000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.93344
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.9A（Ta）
6V，10V
70 毫欧 @ 3.9A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2535 pF @ 100 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
39,228
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48725
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.4A（Ta）
4.5V，10V
48 毫欧 @ 4.4A，10V
2.1V @ 250µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。