单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）5.2A（Tc）26A（Tc）56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V12V，15V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 25A，18V125 毫欧 @ 8.5A，18V1000毫欧 @ 1A，15V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA5.7V @ 1.1mA5.7V @ 10mA5.7V @ 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.15 nC @ 5 V5 nC @ 12 V23 nC @ 18 V63 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+18V，-15V+20V，-10V±20V+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V275 pF @ 1000 V763 pF @ 800 V2120 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
690mW（Ta）68W（Tc）136W（Tc）227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-4-1PG-TO263-7-12PG-TO263-7-13SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
235,518
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.42055
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,025
现货
1 : ¥39.32000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.34727
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5.2A（Tc）
12V，15V
1000毫欧 @ 1A，15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V，-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Infineon Technologies
2,597
现货
1 : ¥70.85000
剪切带（CT）
1,000 : ¥40.17931
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
26A（Tc）
-
125 毫欧 @ 8.5A，18V
5.7V @ 3.7mA
23 nC @ 18 V
+18V，-15V
763 pF @ 800 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Infineon Technologies
216
现货
1 : ¥164.44000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
56A（Tc）
15V，18V
40 毫欧 @ 25A，18V
5.7V @ 10mA
63 nC @ 18 V
+23V，-7V
2120 pF @ 800 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-1
TO-247-4
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。