单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）900mA（Ta）10A（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 10A，10V21.5 毫欧 @ 10A，10V600 毫欧 @ 610mA，4.5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 10 V72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V150 pF @ 15 V493.5 pF @ 15 V2770 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）625mW（Ta）1.42W（Ta）6.25W（Ta），104W（Tc）
供应商器件封装
8-SOPowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
207,598
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28094
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXM61P02FTA
MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Diodes Incorporated
27,065
现货
432,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99221
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.7V，4.5V
600 毫欧 @ 610mA，4.5V
1.5V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
150 pF @ 15 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7174DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
212
现货
1 : ¥25.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.19408
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
60A（Tc）
10V
7 毫欧 @ 10A，10V
4.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
2770 pF @ 40 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8 SO
DMG4496SSS-13
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
9,394
现货
37,500
工厂
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥0.77583
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
21.5 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
10.2 nC @ 10 V
±25V
493.5 pF @ 15 V
-
1.42W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。