单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Central Semiconductor CorpDiodes Incorporated
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 5A，4.5V220 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V47 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
240 pF @ 25 V2475 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）2.1W（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
U-DFN2020-6 Type F
DMP1005UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Diodes Incorporated
3,281
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30541
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
26A（Tc）
1.8V，4.5V
8.5 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2475 pF @ 6 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
10,460
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.74776
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1A（Ta）
5V，10V
220 毫欧 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
20V
240 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。