单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-CoolSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
25 V30 V600 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）1.5A（Ta）1.7A（Tc）55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V10V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54.4 毫欧 @ 19.3A，18V110 毫欧 @ 2.5A，10V3.4 欧姆 @ 500mA，10V4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.06V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA5.2V @ 8.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 10 V7 nC @ 10 V51 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±8V+20V，-5V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V65 pF @ 25 V250 pF @ 24 V1620 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）420mW（Ta）26W（Tc）227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-4-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-4TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
305,692
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4503NT1G
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
onsemi
21,320
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 24 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
RB098BM-40FNSTL
R6002END3TL1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Rohm Semiconductor
2,318
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.26340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
1.7A（Tc）
10V
3.4 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
6.5 nC @ 10 V
±20V
65 pF @ 25 V
-
26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
99
现货
1 : ¥115.02000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
55A（Tc）
15V，18V
54.4 毫欧 @ 19.3A，18V
5.2V @ 8.3mA
51 nC @ 18 V
+20V，-5V
1620 pF @ 800 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-8
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。