单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）15.3A（Ta），164A（Tc）20A（Ta）23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 22A，10V4 毫欧 @ 20A，10V117 毫欧 @ 14A，10V5.3 欧姆 @ 230mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.32V @ 250µA2.5V @ 100µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 4.5 V110 nC @ 10 V112 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
34 pF @ 30 V1450 pF @ 25 V4310 pF @ 15 V7880 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）900mW（Ta），104W（Tc）2.5W（Ta）3.1W（Ta），110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-SOD2PAKSST3
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7832TRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Infineon Technologies
35,246
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.34629
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.32V @ 250µA
51 nC @ 4.5 V
±20V
4310 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
2,479
现货
1 : ¥15.68000
剪切带（CT）
800 : ¥8.76171
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 14A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
RUC002N05T116
BSS84AHZGT116
PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Rohm Semiconductor
8,958
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83119
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Ta）
4.5V，10V
5.3 欧姆 @ 230mA，10V
2.5V @ 100µA
-
±20V
34 pF @ 30 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
0
现货
查看交期
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.09331
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15.3A（Ta），164A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 22A，10V
3V @ 250µA
112 nC @ 4.5 V
±25V
7880 pF @ 15 V
-
900mW（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。