单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）10.5A（Ta）11A（Ta）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.5 毫欧 @ 11A，10V15 毫欧 @ 10.5A，10V180 毫欧 @ 6A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V750 pF @ 25 V4030 pF @ 25 V9250 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）2.5W（Ta）55W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SODPAKSOT-23-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
377,535
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DPAK_369C
NTD2955T4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
onsemi
19,261
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.01693
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta）
10V
180 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
750 pF @ 25 V
-
55W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF7240TRPBF
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Infineon Technologies
8,750
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.90314
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10.5A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10.5A，10V
3V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
9250 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7424TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Infineon Technologies
24,625
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.48506
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
13.5 毫欧 @ 11A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4030 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。