单 FET,MOSFET
结果 : 2
系列
包装
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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24,975 现货 | 1 : ¥3.45000 剪切带(CT) 4,000 : ¥1.16553 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 20 V | 7.2A(Ta),15A(Tc) | 2.5V,4.5V | 31 毫欧 @ 8.5A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 12 nC @ 10 V | ±12V | 877 pF @ 10 V | - | 2.1W(Ta),9.6W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-PQFN(2x2)(DFN2020) | 6-PowerVDFN | |||
2,597 现货 | 1 : ¥70.85000 剪切带(CT) 1,000 : ¥40.17931 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 26A(Tc) | - | 125 毫欧 @ 8.5A,18V | 5.7V @ 3.7mA | 23 nC @ 18 V | +18V,-15V | 763 pF @ 800 V | - | 136W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | PG-TO263-7-12 | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA |
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