单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™ G7HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V50 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)210mA(Ta)4.3A(Ta)75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 28.8A,10V50 毫欧 @ 4.3A,4.5V3.5 欧姆 @ 200mA,5V3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1.5V @ 1mA4V @ 1.44mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.1 nC @ 10 V15 nC @ 5 V123 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
38 pF @ 25 V50 pF @ 25 V830 pF @ 10 V4820 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)340mW(Ta)1.3W(Ta)391W(Tc)
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-HSOF-8-2SOT-23-3(TO-236)SOT-323
封装/外壳
8-PowerSFNSC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
91,249
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52959
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
5V
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
125,041
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88633
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Infineon Technologies
4,495
现货
1 : ¥112.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥66.51379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
75A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 28.8A,10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
-
391W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
BSS138W
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
onsemi
109,680
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65944
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
210mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 1mA
1.1 nC @ 10 V
±20V
38 pF @ 25 V
-
340mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。