单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.6A（Ta），6A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 15A，10V39 毫欧 @ 4.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 4.5 V111 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1090 pF @ 10 V4380 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）65.8W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SSOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8STO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23(TO-236)
SI2323CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
15,117
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25607
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.6A（Ta），6A（Tc）
1.8V，4.5V
39 毫欧 @ 4.6A，4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1090 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8S
SISS67DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
3,561
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.59135
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±25V
4380 pF @ 15 V
-
65.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。