单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
361mA（Ta）2.2A（Ta）4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
33 毫欧 @ 4A，4.5V53 毫欧 @ 500mA，4.5V700 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-6V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24 pF @ 10 V410 pF @ 10 V512 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
155mW（Ta）1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
4-DSBGA（1x1）SOT-23FSOT-883（XDFN3）（1x0.6）
封装/外壳
3-XFDFN4-UFBGA，DSBGASOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-883
NTNS3164NZT5G
MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883
onsemi
103,217
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.80598
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
361mA（Ta）
1.5V，4.5V
700 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±8V
24 pF @ 10 V
-
155mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
3-XFDFN
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3K345R,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
24,400
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72008
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
33 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
3.6 nC @ 4.5 V
±8V
410 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
4-DSBGA-YZB
CSD23202W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
16,043
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07863
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.2A（Ta）
1.5V，4.5V
53 毫欧 @ 500mA，4.5V
900mV @ 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
-6V
512 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-DSBGA（1x1）
4-UFBGA，DSBGA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。