单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
AlphaSGT™OptiMOS™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Ta），273A Tc）40A（Ta），100A（Tc）92.8A（Ta），415A（Tc）214A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.58 毫欧 @ 20A，10V0.95 毫欧 @ 30A，10V1.8 毫欧 @ 150A，10V4.3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA3.7V @ 250µA3.8V @ 202µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 10 V115 nC @ 10 V152 nC @ 10 V200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+16V，-12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3200 pF @ 12 V6460 pF @ 75 V10850 pF @ 10 V11000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），74W（Tc）3.8W（Ta），273W（Tc）6.25W（Ta），415W（Tc）500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOG-8-1PG-TDSON-8-7PowerPAK® SO-8DCTOLLA
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerSMD，鸥翼8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,813
现货
1 : ¥53.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥28.68814
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
214A（Tc）
10V
4.3 毫欧 @ 20A，10V
3.7V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 75 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TOLLA
8-PowerSFN
8-Power TDFN
BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Infineon Technologies
5,894
现货
1 : ¥17.98000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.80102
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
40A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.95 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±16V
3200 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PowerPAK_SO-8DC_Top
SIDR220EP-T1-RE3
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
5,988
现货
1 : ¥18.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.37628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
92.8A（Ta），415A（Tc）
4.5V，10V
0.58 毫欧 @ 20A，10V
2.1V @ 250µA
200 nC @ 10 V
+16V，-12V
10850 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），415W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
1,700
现货
1 : ¥48.77000
剪切带（CT）
1,800 : ¥22.78221
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
32A（Ta），273A Tc）
6V，10V
1.8 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 202µA
152 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），273W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。