单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-SuperMESH™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Tc）6A（Ta）10A（Ta）11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 11A，10V42 毫欧 @ 5A，10V84 毫欧 @ 10A， 10V16 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.7 nC @ 10 V8.2 nC @ 4.5 V15.2 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
160 pF @ 25 V560 pF @ 15 V1180 pF @ 15 V1200 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）2.5W（Tc）3.1W（Ta）26W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-223SOT-23FTO-252
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-3 扁平引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
86,085
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
23,339
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 11A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
RB098BM-40FNSTL
RD3L01BATTL1
PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
3,880
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.78035
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Ta）
4.5V，10V
84 毫欧 @ 10A， 10V
2.5V @ 1mA
15.2 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 30 V
-
26W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT223-3L
STN1NK80Z
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STMicroelectronics
1,351
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.10860
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
250mA（Tc）
10V
16 欧姆 @ 500mA，10V
4.5V @ 50µA
7.7 nC @ 10 V
±30V
160 pF @ 25 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。