单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）2.9A（Tj）4.1A（Ta）23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 2.5A，4.5V57 毫欧 @ 3.6A，4.5V117 毫欧 @ 11A，10V210 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.8 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V6.4 nC @ 10 V97 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
206 pF @ 15 V452 pF @ 10 V1300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）710mW（Ta）960mW（Ta）140W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
2,478
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SOT-23-3
ZXMN2F30FHTA
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Diodes Incorporated
25,132
现货
9,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92546
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.1A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±12V
452 pF @ 10 V
-
960mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP3A13FTA
MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
29,649
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
210 毫欧 @ 1.4A，10V
1V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
206 pF @ 15 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
31,119
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.9A（Tj）
2.5V，4.5V
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。