单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™ 5TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Tc)60A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7 毫欧 @ 10A,10V14.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 23µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.2 nC @ 4.5 V260 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 50 V11000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
52W(Tc)68W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ409EP-T2_GE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
19,827
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.88051
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,111
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.87599
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TSDSON-8
BSZ146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Infineon Technologies
23,335
现货
1 : ¥12.15000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.77208
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
4.5V,10V
14.6 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 23µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。