单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-CoolGaN™CoolSiC™OptiMOS™-5SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V130 V600 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA（Ta）500mA（Ta）1A（Ta）5.2A（Tc）31A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V2.5V，4V6V，10V12V，15V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V750 毫欧 @ 2A，10V1000毫欧 @ 1A，15V1.5 欧姆 @ 10mA，4V45 欧姆 @ 120mA，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 94µA1.4V @ 250µA1，6V @ 2，6mA3.8V @ 275µA4V @ 250µA5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.15 nC @ 5 V4.9 nC @ 5 V5 nC @ 12 V5.6 nC @ 10 V216 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-10V+20V，-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V146 pF @ 25 V231 pF @ 25 V275 pF @ 1000 V380 pF @ 400 V16011 pF @ 50 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
690mW（Ta）770mW（Ta）1.8W（Ta）68W（Tc）125W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-DSO-20-87PG-HSOF-8-1PG-SOT223-4PG-TO263-7-13SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerSFN20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AATO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
141,667
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.42056
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-4
BSP135H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Infineon Technologies
52,498
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.74436
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
120mA（Ta）
0V，10V
45 欧姆 @ 120mA，10V
1V @ 94µA
4.9 nC @ 5 V
±20V
146 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,568
现货
1 : ¥39.32000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.34800
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5.2A（Tc）
12V，15V
1000毫欧 @ 1A，15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V，-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
2,987
现货
1 : ¥45.56000
剪切带（CT）
2,000 : ¥22.18573
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
909
现货
1 : ¥101.56000
剪切带（CT）
800 : ¥70.09563
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
31A（Tc）
-
-
1，6V @ 2，6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-DSO-20-87
20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
SOT-23-3
DMN13H750S-7
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Diodes Incorporated
9,925
现货
111,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.49528
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
130 V
1A（Ta）
6V，10V
750 毫欧 @ 2A，10V
4V @ 250µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
231 pF @ 25 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。