单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesonsemiTexas Instruments
系列
NexFET™OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）120A（Tc）150A（Ta）180A（Tc）200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 100A，10V1.7 毫欧 @ 100A，10V2.4 毫欧 @ 100A，10V3.1 毫欧 @ 100A，10V3.4 毫欧 @ 100A，10V3.8 毫欧 @ 100A，6V4 毫欧 @ 100A，10V4.1 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA3.2V @ 250µA3.3V @ 250µA3.4V @ 250µA3.8V @ 279µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
57 nC @ 10 V62 nC @ 10 V76 nC @ 10 V98 nC @ 10 V140 nC @ 10 V178 nC @ 10 V210 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4870 pF @ 40 V5070 pF @ 30 V7820 pF @ 40 V7920 pF @ 40 V7930 pF @ 50 V11430 pF @ 30 V13530 pF @ 40 V15600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），195W（Tc）246W（Tc）250W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）PG-TO263-7TO-220-3TO-263-7TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AATO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Texas Instruments
5,547
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.45119
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Ta）
6V，10V
4.1 毫欧 @ 19A，10V
3.3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 40 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
DDPAK/TO-263-3
CSD18536KTT
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Texas Instruments
1,439
现货
1 : ¥36.21000
剪切带（CT）
500 : ¥21.87766
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200A（Ta）
4.5V，10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
2.2V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
11430 pF @ 30 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
TO-263
FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
onsemi
7,552
现货
88,000
工厂
1 : ¥37.60000
剪切带（CT）
800 : ¥22.69200
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
4.5V @ 250µA
178 nC @ 10 V
±20V
13530 pF @ 40 V
-
246W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-263-7, D2Pak
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,261
现货
1 : ¥50.90000
剪切带（CT）
1,000 : ¥26.31407
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
6V，10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 279µA
210 nC @ 10 V
±20V
15600 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
DDPAK/TO-263-3
CSD18542KTT
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Texas Instruments
792
现货
1 : ¥20.11000
剪切带（CT）
500 : ¥11.27074
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200A（Ta）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 100A，10V
2.2V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
TO-220-3
CSD19505KCS
MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Texas Instruments
615
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
150A（Ta）
6V，10V
3.8 毫欧 @ 100A，6V
3.2V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±20V
7820 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
DDPAK/TO-263-3
CSD19505KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Texas Instruments
1,099
现货
1 : ¥24.63000
剪切带（CT）
500 : ¥14.86664
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
200A（Ta）
6V，10V
3.1 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±20V
7920 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
DDPAK/TO-263-3
CSD19535KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
777
现货
1 : ¥27.01000
剪切带（CT）
500 : ¥16.31846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Ta）
6V，10V
3.4 毫欧 @ 100A，10V
3.4V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±20V
7930 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。