单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Ta）9.2A（Ta）11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.2 毫欧 @ 18.6A，10V18 毫欧 @ 10A，10V160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.3 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 25 V864 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）1.5W（Ta）1.9W（Ta）
供应商器件封装
8-SOPowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,017,239
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86945
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
2.1A（Ta）
2.5V，4.5V
160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
8 SO
DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
43,374
现货
730,000
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.63769
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.2A（Ta）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPAK SO-8
SI7463DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
56
现货
1 : ¥23.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.47681
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
11A（Ta）
4.5V，10V
9.2 毫欧 @ 18.6A，10V
3V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。