单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V25 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）1.3A（Ta）5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 5.8A，10V160 毫欧 @ 1.5A，4.5V14 欧姆 @ 100µA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1V @ 56µA2.35V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 5 V5 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
76 pF @ 25 V162 pF @ 10 V430 pF @ 10 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）500mW（Ta）1.25W（Ta）
供应商器件封装
PG-SOT23SOT-23SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
29,074
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5.8A（Ta）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 5.8A，10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
145,285
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.7V，4.5V
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
111,888
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25364
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
100mA（Ta）
0V，10V
14 欧姆 @ 100µA，10V
1V @ 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。