单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）7.6A（Ta）21A（Ta），78A（Tc）60A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 15A，10V4.5 毫欧 @ 35A，10V12.5 毫欧 @ 10A，10V29 毫欧 @ 7.6A，10V43 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.6V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V23 nC @ 10 V37 nC @ 10 V46 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
600 pF @ 10 V1300 pF @ 25 V1710 pF @ 30 V1800 pF @ 25 V5500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）2.5W（Ta）3.6W（Ta），50W（Tc）57W（Tc）183W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）6-CPH8-SOICPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
onsemi
14,618
现货
2,500
工厂
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.28570
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.6A（Ta）
6V，10V
29 毫欧 @ 7.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TSOT-23-6, TSOT-6
CPH6350-TL-W
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
onsemi
22,481
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.21571
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4V，10V
43 毫欧 @ 3A，10V
-
13 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-CPH
SOT-23-6
PowerPAK_SO-8L
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
24,494
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.24952
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
-
12.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
183W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8S
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
12,482
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.50076
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
6V，10V
4.5 毫欧 @ 15A，10V
3.6V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 30 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
811
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.89486
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。