单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-AlphaSGT™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）2A（Ta）2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 5.1A，4.5V140 毫欧 @ 2A，10V1.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V250 pF @ 50 V750 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）500mW（Ta）1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
6-TSOPSOT-23-3SSM
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式SC-75，SOT-416SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
433,552
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75941
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 2A，10V
2.7V @ 250µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 50 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
109,734
现货
1 : ¥1.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29446
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
6-TSOP
NTGS3446T1G
MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
onsemi
6,217
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.81989
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
1.2V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±12V
750 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。